2毫米等于1TB容量！Intel黑科技新3D闪存

发表时间：2014-11-25来源：网络

　　随着最新的制程已经进入了1Xnm时代，许多巨头都将闪存容量进一步增长的实现寄托在了全新的3D堆叠技术上，三星目前应该是在这上面走的最远的，但这种行业级的科技突破又怎会少了坐拥不少黑科技的Intel呢，今日Intel终于公布了自己的3D NAND闪存。

　　近日，Intel副总裁、非易失性闪存方案事业部总经理Rober Crooke向投资者首次公开展示了Intel 3D NAND闪存。

　　据他透露，Intel 3D闪存使用了32层堆叠(和三星第二代相同)，其中穿了大约40亿个孔洞用于垂直互联，最终做到单内核容量256Gb(32GB)，比普通的2D闪存翻了一番。Intel目前使用的是MLC闪存颗粒，但已经在设计TLC版本的，单内核容量可轻松达到384Gb(48GB)。

2毫米等于1TB容量！Intel黑科技新3D闪存

　　Intel同时声称，他们可以在2毫米的厚度内做到1TB容量，也即是一个SD卡那么大，而两年后可以实现10+TB容量的固态硬盘。Intel计划在2015年下半年发布基于3D闪存的固态硬盘，价格会极具竞争力。这种闪存将在Intel、美光合资的美国犹他州工厂生产，使用20+nm工艺，暂时还不是最新的16nm。

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