发表时间:2014-11-25来源:网络
随着最新的制程已经进入了1Xnm时代,许多巨头都将闪存容量进一步增长的实现寄托在了全新的3D堆叠技术上,三星目前应该是在这上面走的最远的,但这种行业级的科技突破又怎会少了坐拥不少黑科技的Intel呢,今日Intel终于公布了自己的3D NAND闪存。
近日,Intel副总裁、非易失性闪存方案事业部总经理Rober Crooke向投资者首次公开展示了Intel 3D NAND闪存。

据他透露,Intel 3D闪存使用了32层堆叠(和三星第二代相同),其中穿了大约40亿个孔洞用于垂直互联,最终做到单内核容量256Gb(32GB),比普通的2D闪存翻了一番。Intel目前使用的是MLC闪存颗粒,但已经在设计TLC版本的,单内核容量可轻松达到384Gb(48GB)。

Intel同时声称,他们可以在2毫米的厚度内做到1TB容量,也即是一个SD卡那么大,而两年后可以实现10+TB容量的固态硬盘。Intel计划在2015年下半年发布基于3D闪存的固态硬盘,价格会极具竞争力。这种闪存将在Intel、美光合资的美国犹他州工厂生产,使用20+nm工艺,暂时还不是最新的16nm。

小编点评:虽然目前固态硬盘普及速度飞快,但是毫无疑问,远比普通硬盘小的容量一直是普及过程中的最大问题。而通过堆叠技术,可以轻松实现NAND闪存容量倍增,固态硬盘凭借这个直接超越普通硬盘的容量也不是不可能!
拓展阅读:1TB硬盘实际多大?
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