三星投产第二代10nm技术 三星欲超越英特尔
发表时间：2016-04-22来源：网络
三星投产第二代10nm技术 三星欲超越英特尔。据外媒报道，三星本周宣布，将定于今年晚些时候投产第二代10nm芯片生产工艺。目前，三星已经在美国开始向多个半导体公司推广自家的14nm工艺。
报道称，所谓的第二代10nm工艺，有媒体认为是14nm FinFET+。其实目前，14nm FinFET+已经导入了骁龙820、三星Exynos 8890等产品，三星希望可以争取到更多半导体客户看到新制程的优越性。
因此，三星本周在美国硅谷会晤多个半导体公司，向他们推介自己的14nm工艺。以此同时，三星在内存DRAM颗粒上也全球率先完成了10nm级的布局，同时本月还将量产18nm工艺产品。
至于另外两家对手在制程工艺方面也进展很快，其中台积电也在本周表示，预计今年三、四季度会量产10nm工艺。目前已有超过20家客户正在洽谈7nm工艺代工事宜，预计2017年有15家客户提交流片。值得一提的是，苹果将在下半年发布的iPhone 7所搭载的A10芯片，有可能就能用上台积电10nm工艺。
英特尔日前则表示，公司将在2017年下半年推出10纳米CPU。不过英特尔的确面临一些严重的问题，因为CPU的制程节点缩小了，良率不高一直困扰CPU的量产。在之前的14纳米Broadwell架构上，英特尔也曾面临很大困难，结果导致桌面和移动处理器上市时间推迟了几个月。
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