教你认识内存条和看懂内存条

我们平常所说的“内存”大都是指“内存条”。那么什么是“内存条”呢？常见的“内存条”又有哪些类型呢？ 
1．内存条的诞生 
当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU的生产效率大打折扣！为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”—内存。 
内存虽然容量不大，一般只有几十MB到几百MB，但中转速度非常快，如此一来，当CPU需要数据时，事先可以将部分数据存放在内存中，以解CPU的燃眉之急。由于内存只是一个“中转仓库”，因此它并不能用来长时间存储数据。 
2．常见的内存条 
目前PC中所用的内存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM、DDR2等四种类型。 
曾经主流——SDRAM 

SDRAM（Synchronous DRAM）即“同步动态随机存储器”。SDRAM内存条的两面都有金手指，是直接插在内存条插槽中的，因此这种结构也叫“双列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前绝大部分内存条都采用这种“DIMM”结构。 
随着处理器前端总线的不断提高，SDRAM已经无法满足新型处理器的需要了，早已退出了主流市场。 
今日主流——DDR SDRAM 

DDR SDRAM（简称DDR）是采用了DDR（Double Data Rate SDRAM，双倍数据速度）技术的SDRAM，与普通SDRAM相比，在同一时钟周期内，DDR SDRAM能传输两次数据，而SDRAM只能传输一次数据。 
从外形上看DDR内存条与SDRAM相比差别并不大，它们具有同样的长度与同样的引脚距离。只不过DDR内存条有184个引脚，金手指中也只有一个缺口，而SDRAM内存条是168个引脚，并且有两个缺口。 
根据DDR内存条的工作频率，它又分为DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多种类型：与SDRAM一样，DDR也是与系统总线频率同步的，不过因为双倍数据传输，因此工作在133MHz频率下的DDR相当于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266来表示。 
小提示：工作频率表示内存所能稳定运行的最大频率，例如PC133标准的SDRAM的工作频率为133MHz，而DDR266 DDR的工作频率为266MHz。对于内存而言，频率越高，其带宽越大。 
除了用工作频率来标示DDR内存条之外，有时也用带宽值来标示，例如DDR 266的内存带宽为2100MB/ｓ，所以又用PC2100来标示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。 
小提示：内存带宽也叫“数据传输率”，是指单位时间内通过内存的数据量，通常以GB/ｓ表示。我们用一个简短的公式来说明内存带宽的计算方法：内存带宽＝工作频率×位宽/8×ｎ（时钟脉冲上下沿传输系数，DDR的系数为2）。 
由于DDR内存条价格低廉，性能出色，因此成为今日主流的内存产品。 
过时的贵族——RDRAM 
RDRAM（存储器总线式动态随机存储器）是Rambus公司开发的一种新型DRAM。RDRAM虽然位宽比SDRAM及DDR的64bit窄，但其时钟频率要高得多。 
从外观上来看，RDRAM内存条与SDRAM、DDR SDRAM内存条有点相似。 
从技术上来看，RDRAM是一种比较先进的内存，但由于价格高，在市场上普及不是很实际。如今的RDRAM已经退出了普通台式机市场。 
最新的内存——DDR2
DDR2是英特尔极力推动的新一代内存，DDR2构建在DDR的基础上，通过增加4位预取机制使得在核心频率不变的条件下将数据带宽提升4倍，为效能提升扫清了障碍。为提高兼容性，DDR2将终结器直接整合于内存颗粒中，这也有效降低了主板的制造成本。此外，DDR2在延迟方面的机制也有所改变，增加了AL附加延迟的概念，这不可避免导致DDR2延迟时间增加。
高频率、高带宽是DDR2最大的优点，它将有DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667和DDR2-800等规范，最高带宽分别达到3.2GB/s、4.2GB/s、5.3GB/s和6.4GB/s，比目前的DDR内存有大幅度提升，但它们的核心频率仍保持在很低的水平，使得产品可在更低的电压下运作（DDR工作在2.5V下，DDR2仅需要1.8V工作电压）、功耗也比DDR有了明显的降低。不过，DDR2的延迟周期反而比DDR长，后者的CL延迟一般是2、2.5和3个周期，而DDR2一般为3、4和5个周期，再加上AL附加延迟（附加延迟为0～4个周期），使得DDR2读数据的延迟时间比DDR大幅增加——显然，在带宽相同的情况下，DDR2的实际性能反而不如DDR。
表：各个版本的DDR-DDR2效能对比
内存类型
标准名称 数据频率 核心频率 最高带宽
PC100 SDRAM PC100 100MHz 100MHz 800 MB／s
PC133 SDRAM PC133 133MHz 133MHz 1．06 GB／s
DDR266 PC2100 266MHz 133 MHz 2.1 GB／s
DDR333 PC2700 333 MHz 166 MHz 2.7 GB／s
DDR400 PC3200 400 MHz 200 MHz 3.2 GB／s
DDR2-400 PC2-3200 400 MHz 100 MHz 3.2 GB／s
DDR2-533 PC2-4300 533 MHz 133 MHz 4.2 GB／s
DDR2-667 PC2-5300 667 MHz 166 MHz 5.3 GB／s
DDR2-800 PC2-6400 800 MHz 200 MHz 6.4 GB／s

3．内存的封装 
目前内存的封装方式主要有TSOP、BGA、CSP等三种，封装方式也影响着内存条的性能优劣。 

TSOP封装：TOSP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）的一个典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚。TSOP封装操作方便，可靠性比较高，是目前的主流封装方式。 

BGA封装：BGA叫做“球栅阵列封装”，其最大的特点就是芯片的引脚数目增多了，组装成品率提高了。采用BGA封装可以使内存在体积不变的情况下将内存容量提高两到三倍，与TSOP相比，它具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。 

CSP封装：CSP（Chip Scale Package，芯片级封装）作为新一代封装方式，其性能又有了很大的提高。ＣＳＰ封装不但体积小，同时也更薄，更能提高内存芯片长时间运行的可靠性，芯片速度也随之得到大幅度的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR内存。 
二、内存强档 
要进一步了解内存，以下的内容一定不能错过。其中内存的时钟周期、存取时间和CAS延迟时间是衡量内存性能比较直接的重要参数，它们都可以在主板BIOS中设置，这个问题将在以后介绍BIOS的时候详细阐述。 
1．时钟周期（TCK） 
TCK是“Clock Cycle Time”的缩写，即内存时钟周期。它代表了内存可以运行的最大工作频率，数字越小说明内存所能运行的频率就越高。时钟周期与内存的工作频率是成倒数的，即TCK＝1/F。比如一块标有“－10”字样的内存芯片，“－10”表示它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的频率下正常工作。 
2．存取时间（TAC） 
TAC（Access Time From CLK）表示“存取时间”。与时钟周期不同，TAC仅仅代表访问数据所需要的时间。如一块标有“－7J”字样的内存芯片说明该内存条的存取时间是7ns。存取时间越短，则该内存条的性能越好，比如说两根内存条都工作在133MHz下，其中一根的存取时间为6ns，另外一根是7ns，则前者的速度要好于后者。 
3．CAS延迟时间（CL） 
CL（CAS Latency）是内存性能的一个重要指标，它是内存纵向地址脉冲的反应时间。当电脑需要向内存读取数据时，在实际读取之前一般都有一个“缓冲期”，而“缓冲期”的时间长度，就是这个CL了。内存的CL值越低越好，因此，缩短CAS的周期有助于加快内存在同一频率下的工作速度。 
4．奇偶校验（ECC） 
内存是一种数据中转“仓库”，而在频繁的中转过程中，一旦搞错了数据怎么办？而ECC就是一种数据检验机制。ECC不仅能够判断数据的正确性，还能纠正大多数错误。普通PC中一般不用这种内存，它们一般应用在高端的服务器电脑中。